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该报告指出,碳化硅 (SiC) 是许多宽频带隙技术中的一种,被用于提高开关电源的效率,以驱动电动机,通过车载充电器接收电荷和转换直流电。
Strategy Analytics 全球汽车实践 (GAP) 首席分析师 Kevin Mak 表示:“随着汽车制造商将业务调整为‘全电动’,它们之间的竞争加剧了。宽禁带技术,如碳化硅,使电机逆变器能够在更高的结温下运行,从而降低其热管理要求。提高电源开关的性能导致更小的逆变器,使电动牵引电机旋转更快,提高扭矩输出,提高电池电动动力系统性能。宽禁带技术还可以使部件变得更小,这意味着动力系统的尺寸、重量和功率都得到了改善,同时也使集成系统更具灵活性。800 伏技术还使汽车制造商能够使用更轻的电缆,比使用更低的电压提取电力更快。”
宽禁带或宽带隙(WBG)是指碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体器件,其中需要相对较高的能量才能将电子从原子“价(valence)”带移动到其“导(conduction)”带,在导带电子可用于电流流动。“带隙”的量度是电子伏特(eV),硅(Si)的带隙值约为 1.1eV,而 SiC 为 3.2eV,GaN 为 3.4eV。高带隙值可提供更高临界击穿电压和更低泄漏电流,尤其是在高温下更是如此。宽带隙器件还具有更好的电子饱和速度,从而可以更快地开关。SiC 还具有特别好的导热性。