International
简体中文 English 繁體中文 Deutsch Corsu guarani Hausa Cymraeg Nederlands 日本語 गोंगेन हें नांव Aymara Français Kreyòl ayisyen čeština ʻŌlelo Hawaiʻi डोग्रिड ने दी Русский язык ภาษาไทย հայերեն فارسی Hmoob ދިވެހި भोजपुरी Türkçe हिंदी беларускі български tur Gaeilge ગુજરાતી Magyar eesti keel بالعربية বাংলা Azərbaycan Português Suid-Afrikaanse Dutch taal کوردی-سۆرانی Ελληνικά español Frysk dansk አማርኛ Bamanankan euskara Italiano Tiếng Việt 한어 অসমীয়া català Suomalainen Eʋegbe Hrvatski Cebuano Gàidhlig na h-Alba bosanski galegoStrategy Analytics 电动汽车服务(EVS)近期发布的报告指出,电动汽车面临着消费者对“里程焦虑”和“充电焦虑”的担忧,汽车制造商的应对措施是进一步整合零部件,利用电力电子技术的进步提高动力系统效率,使用 800 伏 + 的电力网络缩短充电时间。
该报告指出,碳化硅 (SiC) 是许多宽频带隙技术中的一种,被用于提高开关电源的效率,以驱动电动机,通过车载充电器接收电荷和转换直流电。
Strategy Analytics 全球汽车实践 (GAP) 首席分析师 Kevin Mak 表示:“随着汽车制造商将业务调整为‘全电动’,它们之间的竞争加剧了。宽禁带技术,如碳化硅,使电机逆变器能够在更高的结温下运行,从而降低其热管理要求。提高电源开关的性能导致更小的逆变器,使电动牵引电机旋转更快,提高扭矩输出,提高电池电动动力系统性能。宽禁带技术还可以使部件变得更小,这意味着动力系统的尺寸、重量和功率都得到了改善,同时也使集成系统更具灵活性。800 伏技术还使汽车制造商能够使用更轻的电缆,比使用更低的电压提取电力更快。”
宽禁带或宽带隙(WBG)是指碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体器件,其中需要相对较高的能量才能将电子从原子“价(valence)”带移动到其“导(conduction)”带,在导带电子可用于电流流动。“带隙”的量度是电子伏特(eV),硅(Si)的带隙值约为 1.1eV,而 SiC 为 3.2eV,GaN 为 3.4eV。高带隙值可提供更高临界击穿电压和更低泄漏电流,尤其是在高温下更是如此。宽带隙器件还具有更好的电子饱和速度,从而可以更快地开关。SiC 还具有特别好的导热性。